TrendForce：存储产业 2026 年资本支出仍显保守，对容量产出提升助力有限

尤其是在DRAM内存领域，虽然三星电子和SK海力士仍有小幅扩大产线的机会，但美光想要扩产必须要等到其美国爱达荷州博伊西ID1新晶圆厂落成。而在NAND端，铠侠-闪迪、美光均将大力投资，但三星电子和SK系则会按兵不动。机构预计，2026年DRAM产业资本支出有望同比增长14%到613亿美元（亚汇网注：现汇率约合4352.55亿元人民币）；NAND产业资本支出则有望在明年增长5%到222亿美元（现汇率约合1576.29亿元人民币）。整体来看，几大存储原厂的投资重心正逐渐转变，从单纯地扩充产能转向制程技术升级、高层数堆栈、混合键合，聚焦HBM等高附加价值产品。广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，亚汇网所有文章均包含本声明。