消息称 LG 电子启动混合键合设备开发，追逐未来 HBM 内存制造关键技术

混合键合未来将毫无疑问地成为16+层堆叠HBM内存堆栈构建的关键技术，其采用无凸块的铜-铜键合，缩小各层DRAMDie间距，能在有限的高度内实现更高层数堆叠，且具备更低发热。目前在HBM内存混合键合机台开发方面，Besi和应用材料处于领先地位，而韩国两大内存企业SK海力士和三星电子有实现关键设备供应本地化的需求，LG电子有望在这部分市场分得一杯羹。另一方面，LG电子已定下强化AI与B2B业务的愿景，混合键合设备同时符合这两大目标。广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，亚汇网所有文章均包含本声明。