欧洲先进 FD-SOI 中试线启动设计项目征集，目标 2027 年实现 10nm

FAMES项目的协调员DominiqueNoguet表示基于10nmFD-SOI工艺的测试芯片预计将于2027年推出。该制程节点将采用193nmArFiDUV光刻机，采用SADP自对准双重曝光实现。FAMES中试线将提供用于先进FD-SOI节点的性能评估PDK（亚汇网注：工艺设计套件），以及用于测试设计的MPW多项目晶圆用PDK。除逻辑制程外，FAMES中试线也关注配套的片上嵌入式NVM非易失性存储。FAMES牵头方法国CEA-Leti研究所已成功制得OxRAM（氧化物基阻变存储器）样品，正在关注FRAM/FeFET（铁电存储器）和MRAM（磁性存储器）。广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，亚汇网所有文章均包含本声明。