【陕西科研团队攻克芯片散热世界难题】1月13日，据西安电子科技大学消息：该校郝跃院士团队突破了20年的半导体材料技术瓶颈，让芯片散热效率与综合性能实现飞跃性提升，为解决各类半导体材料高质量集成问题提供了可复制的中国范式。相关成果日前发表在国际顶级期刊《自然·通讯》和《科学进展》上。 “目前市面上最常见的射频半导体芯片是第三代氮化镓半导体芯片，该类芯片散热主要由芯片晶体的成核层决定。在我们实现科研突破之前，这类芯片晶体的成核层都是凹凸不平的，不利于芯片散热。”西安电子科技大学副校长、教授张进成解释，“热量散不出去可能导致芯片性能下降甚至器件烧毁。” 团队创新性地在第三代半导体芯片晶体上注入高能离子，让晶体成核层表面变得光滑。这一突破将半导体热阻降至原来的三分之一，解决了第三代乃至未来半导体芯片面临的散热难题。 同时，该项突破让半导体器件性能大幅提升。
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